东芝全球首发QLC闪存:寿命堪比TLC

7月4日消息 东芝日前发布世界首个基于QLC(四比特单元) BiCS架构的3D NAND闪存芯片。对于闪存技术的未来发展而言,这可谓是相当重大的消息。

在曾经的一段时间里,从TLC升级到QLC看上去似乎难度颇高,因为精确区分电荷电平所需要的生产精度是会成倍增加的。但在自己最新的3D NAND闪存当中(使用了64层堆栈式QLC存储单元),东芝就成功做到了这一点。

东芝的QLC技术实现了每闪存颗粒768Gb的容量,相比之前512Gb TLC颗粒显然是巨大的提升。东芝指出,新的QLC颗粒能以16颗粒封装,从而实现单设备1.5TB的容量——这被东芝称为目前单独一个单元的最大容量。

东芝宣称,他们的QLC NAND拥有多达1000次左右的P/E编程擦写循环,大大高于业界此前几年预计的100-150次,几乎已经和TLC闪存旗鼓相当。

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